2020年1月10日，2019年度國家科學技術獎在京揭曉，共評選出296個項目和12名科技專家。其中，國家自然科學獎授獎項目46項幹式恒溫加熱器，國家技術發明獎授獎項目65項，國家科學技術進步獎授獎項目185項。中國船舶集團所屬719所名譽所長黃旭華院士、中國科學院大氣物理研究所曾慶存院士，摘得國家最高科學技術獎。10名外籍專家榮獲中華人民共和國國際科學技術合作獎。完整名單請點擊：最全！2019年度國家科學技術獎勵名單其中，獲得中華人民共和國國際科學技術合作獎的10位外籍專家中，有3位分析化學家獲獎。英國諾丁漢大學教授、英國皇家學會院士馬丁·波利亞科夫（Martyn Poliakoff），國際著名結構生物學家，挪威科學與文學院外籍院士雷蒙德·查爾斯·史蒂文斯（Raymond Charles Stevens）以及普渡大學教授、美國國家科學院院士羅伯特·格雷厄姆·庫克斯（Robert Graham Cooks）。1月10日，2019年度國家科學技術獎在京揭曉，共評選出296個項目和12名科技專家。

       其中，國家自然科學獎授獎項目46項，國家技術發明獎授獎項目65項，國家科學技術進步獎授獎項目185項。中國船舶集團所屬719所名譽所長黃旭華院士、中國科學院大氣物理研究所曾慶存院士，摘得國家最高科學技術獎。10名外籍專家榮獲中華人民共和國國際科學技術合作獎。獲獎名單不乏數學、化學、材料、環境等領域研究學者，其中生命科學和醫學領域表現亮眼，獲獎項目達28個，涉及植物遺傳發育、疾病發病機理及靶點、巨噬細胞效應機製、蛋白質抗原、腫瘤精準診斷等。2019年12月30日，中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟發布《SiC晶片的殘餘應力檢測方法》等六項團體標準的公告。根據《中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟團體標準管理辦法》的相關規定，批準發布《SiC 晶片的殘餘應力檢測方法》、《功率半導體器件穩態濕熱高壓偏 置試驗》、幹式恒溫加熱器《碳化矽單晶拋光片表麵質量和微管密度檢測方法-激光散射檢測法》、《導電碳化矽單晶片電阻率測量方法—非接觸渦流法》、《碳化矽單晶拋光片表 麵質量和微管密度測試方法——共焦點微分幹涉光學法》、《半絕緣碳化矽單晶 片電阻率非接觸測量方法》六項團體標準。上述六項標準自 2019年12月27日發布，自2019年12月31日起實施。